经过实践证明，对于氢与四氯化硅的还原反应来说，氢与四氯化硅的摩尔比应控制在
（３５～４５）∶１范围内最为合适，而对于氢与三氯氢硅的还原反应来说，氢与三氯氢硅的摩尔比
应控制在 （１５～２５）∶１范围内最为合适。
（３）增大还原炉里的压力。还原炉里的压力是决定还原反应速率的重要因素之一，压力越
高，反应速率越快，反应生成的多晶硅就越多，厚度沉积速率也就越高。因此，要想提高多晶
硅的沉积速率，就应尽量增大还原炉里的压力。但要知道，压力的增大会对还原炉本身提出挑
战，首先就要增加炉壁的厚度。目前的还原炉壁已经很厚了，一个１２对棒还原炉的钟罩重
６．５ｔ，已给起吊设备带来一定困难，如果再增加厚度，困难会更大，而且还会给建筑带来更为
严格的要求。再有，还原炉里的压力增高，气体的密度就会加大，热导率也必然会加大，因此
不利于节能，所以还原炉里的压力要综合考虑，不可无限增大。一般认为，还原炉里的压力在
０．１～０．５ＭＰａ为合适。
（４）加大还原炉里原料气的流量。反应气体的流量也是决定还原反应的重要因素之一。
在还原炉里除了原料气之外，还有反应后生成的氯化氢等气体，这些气体统称为尾气。
生产多晶硅是靠原料气发生还原反应，将生成物中的硅沉积在硅棒上。如果围绕硅棒的都
是原料气，原料气就会不断地发生还原反应，生成的硅沉积在硅棒上，使硅棒逐渐长粗。这是
最理想的，可问题并非如此，实际围绕硅棒的，除了原料气之外，还有反应后生成的氯化氢等
尾气。这些尾气的存在，不仅阻隔了原料气与硅棒的接触，使之不能顺利地发生还原反应将硅
沉积在硅棒上，并且还有可能发生逆反应，使硅棒上的多晶硅发生氯化而消耗多晶硅。
由此可见，要想提高沉积速率δ１，就必须赶走硅棒周围的尾气，尽量使原料气围绕硅棒。
怎样才能够达到此目的呢？只要尽量多地往还原炉里通入原料气，加大还原炉里原料气的浓
度，硅棒周围的尾气就会被原料气挤走。
如果还原炉的容积和形状都不变，选择好原料气的配比，控制稳氢还原反应的沉积温度，
使之始终保持在最佳温度范围内，那么，进入炉内的原料气越多，多晶硅的沉积速率δ１ 就越
高。由此可见，增加原料气的进入量是提高多晶硅的沉积速率δ１ 的好办法。
但多往还原炉里通入原料气，原料气的用量就要增加。增加原料气的用量必然要加大多晶
硅的生产成本。本来是想降低成本的，可这样一来，不但没有降低成本，反而使成本增加，这
是违背初衷的。
可能有人认为循环使用原料气可以解决此问题。但是，目前的循环工艺还无法胜任。
目前的循环工艺是：首先将还原尾气接入冷冻分离器和氢气回收系统，将尾气中的氢气和
四氯化硅回收，经净化提纯后再利用。采用这种循环工艺还需要一套造价昂贵的超低温冷冻系
统，也就是说，还需增加大量的经济投入。由此看来，采用这样的循环工艺根本无法降低成
本。这还不算，在这种回收系统里，还原料被冷冻降温至四氯化硅的沸点 （５７．６℃）之下，一
般认为应在３８～４０℃为好。如是按还原料在还原炉里的温度１２００℃，降温后的上限４０℃计
算，也要降温１１００℃以上。但回收后４０℃的常温还原料要重新被送入鼓泡器里，然后通进还
原炉，还要再次被加热到１２００℃的高温。这需要消耗大量的电能，也是一个极大的浪费。很
!$&显然，这也是违背初衷的。
