（１）ＲＣＡ 清洗 在２０世纪６０年代中期，ＷａｒｎｅｒＫｅｒｎ，一名 ＲＣＡ 公司的工程师，开
发出了一种两步的清洗工艺以去除晶片表面的有机和无机残留物。这一工艺被证明非常有
效，而它的配方也以简单的 “ＲＣＡ 清洗”为人们熟知。只要提到 ＲＣＡ 清洗，就意味着过氧
化氢与酸或碱同时使用。ＳＣ１应用水、过氧化氢和氨水的混合溶液，组成从５∶１∶１到７∶
２∶１变化，加热温度在７５～８５℃之间。ＳＣ１去除有机残余物，并同时建立一种从晶片表面
第三章 新型半导体工业用化学品 ８１
吸附痕量金属的条件。在工艺过程中，一层氧化膜不断形成又分解。
ＳＣ２应用水、过氧化氢和盐酸，按照６∶１∶１～８∶２∶１的比例混合的溶液，其工作温
度为７５～８５℃之间。ＳＣ２去除碱金属离子、氢氧根及复杂的残余金属。它会在晶片表面留
下一层保护性的氧化物。
多年来，ＲＣＡ 的配方被证实是经久不衰的，至今仍是大多数炉前清洗的基本清洗工艺。
随着工业清洗的需求，化学品的纯度也在不断地进行改进。根据不同的应用，ＳＣ１和 ＳＣ２
前后顺序也可颠倒。如果晶片表面不允许有氧化物存在，则需加入氢氟酸清洗这一步。它可
以放在ＳＣ１和ＳＣ２之前进行，或者在两者之间，或者在 ＲＣＳ清洗之后。
在最初的清洗配方的基础上，曾有过多种改进和变化。晶片表面金属离子的去除曾是一
个问题。这些离子存在于化学品中，并且不溶于大多数的清洗和刻蚀液中。通过加入一种螯
合剂，例如 ＥＤＴＡ，使其与这些离子结合，从而阻止它们再次沉积到晶片上。
稀释的 ＲＣＡ 溶液被发现具有更多的用途。ＳＣ１稀释液的比例为１∶１∶５０ （而不是１∶
１∶５），ＳＣ２的稀释液的比例为１∶１∶６０ （而不是１∶１∶６）。这些溶液被证明具有与比它
们更浓的溶液配方同样的清洗效果。而且，它们产生较小的微观上的粗糙，节约成本，同时
容易去除。
