概述
制造技术是电子工业的基础，其发展更新的速度是其他
产业无法企及的。在集成电路制作过程中，光刻是其关键工艺。光刻胶涂覆在半导体、导体
和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀
刻，从而完成了将掩模板图形转移到底层上的图形转移过程。一个ＩＣ 的制造一般需要经过
１０多次图形转移过程才 能 完 成，光 刻 胶 及 蚀 刻 技 术 是 实 现 集 成 电 路 微 细 加 工 技 术 的 关 键。
蚀刻的方式主要分为湿法和干法两种，等离子与反应离子刻蚀 （ＲＩＥ）属于干法蚀刻，主要
是通过物理轰击溅射和化学反应的综合作用来腐蚀薄膜层，而物理溅射是通过具有一定能量
的粒子轰击作用，使膜层的化学键断裂，进而发生分解；而湿法蚀刻是最简便的方法。
随着ＩＣ 特征尺寸向亚微米、深亚微米方向快速发展，现有的光刻机和光刻胶已无法适
应新的光刻 工 艺 要 求。光 刻 机 的 曝 光 波 长 也 在 由 紫 外 谱 ｇ 线 （４３６ｎｍ）→ｉ线 （３６５ｎｍ）→
２４８ｎｍ→１９３ｎｍ→极紫外光 （ＥＵＶ）→Ｘ 射线，甚至采用非光学光刻 （电子束曝光、离子束
曝光），光刻胶产品的综合性能也必须随之提高，才能符合集成工艺制造的要求。以下几点
为光刻胶制造中的关键技术：配方技术、超洁净技术、超微量分析技术及应用检测能力。制
作过程特性要求有：涂布均匀性、灵敏度、分辨率及制作过程宽容度。