集成度（ＤＲＡＭ）  ６４Ｋ  ２５６Ｋ  １Ｍ  ４Ｍ  １６Ｍ  ６４Ｍ
危险颗粒尺寸／μｍ  ０．５  ０．２  ０．２  ０．１  ０．０６  ０．０６
控制颗粒数（＞０．５μｍ）／（个／ｍＬ）  ５００  １００  ４０  １５  １  ０．２
金属杂质  １００×１０－９  １０×１０－９  ４×１０－９  １×１０－９  ０．１×１０－９  ０．０５×１０－９

（２）光刻胶
光刻胶用做抗蚀涂层，是 完 成 光 刻 工 序 的 关 键 材 料。从 表１３ 可 以 看 出 微 细 加 工 的 发
展，对其光刻胶提出更高要求。
表１３ 微细加工的发展
集成度（ＤＲＡＭ）  ６４Ｋ  ２５６Ｋ  １Ｍ  ４Ｍ  １６Ｍ  ６４Ｍ
光刻胶  负胶或正胶  ｇ线正胶  ｇ线正胶  ｇ线或ｉ线正胶  ｉ线正胶  ｉ线正胶

负胶主要用聚异戊二烯原料胶经环化后，加入双叠氮化合物交联剂和溶剂组成。正胶以
线性酚醛树脂、感光剂和溶剂组成。为了提高分辨率，目前已有８０％市场转向使用正胶。
６ 新型电子化学品生产技术与配方