。
方法一：采 用 专 用 的 ＣＭＯＳ→ＴＴＬ 电 平 转 换 器，如 ＣＣ４０４９ （六 反 相 器） 或 ＣＣ４０５０
（六缓冲器）。由于它们的输入保护电路特殊，因而允许输入电压高于电源电压ＶＤＤ。例如，
当ＶＤＤ＝５Ｖ 时，其输入端所 允 许 输 入 的 最 高 电 压 为１５Ｖ，而 其 输 出 电 平 在 ＴＴＬ 的ＵｉＨ 和
ＵｉＬ的允许范围内。应用电路如图１１２４（ａ）所示。
图１１２４ ＣＭＯＳＴＴＬ的接口
方法 二：采 用 ＣＭＯＳ 漏 极 开 路 门 （ＯＤ 门），如 ＣＣ４０１０７。当ＶＤＤ＝５Ｖ 时，其ＩｏＬ≥
１６ｍＡ，应用电路如图１１２４（ｂ）所示。
方法三：用分立三极管开关。应用电路如图１１２４（ｃ）所示。
方法四：将同一封装内的门电路并联应用，以加大驱动能力。
③ ＴＴＬ 与 ＣＭＯＳ→大电流负载的接口。大电流负载通常对输入电平的要求很宽松，但
要求有足够大的驱动电流。最常见的大电流负载有继电器、脉冲变压器、显示器、指示灯、
可关断可控硅等。普通门电路很难驱动这类负载，常用的方法有如下几种。
方法一：在普通门电路和大电流负载间，接入和普通门电路类型相同的功率门 （也叫驱
动门）。有些功率门的驱动电流可达几百毫安。
图１１２５ 用三极管实现电流扩展
方法二：利 用 ＯＣ 门 或 ＯＤ 门 （ＣＭＯＳ
漏极开路门）做接口。把 ＯＣ 门或 ＯＤ 门的
输入端与普通门的输出端相连，把大电流负
载接在上拉电阻的位置上。
方法三：用分 立 的 三 极 管 或 ＭＯＳ 管 做
接口电路来实现电流扩展，为充分发挥前级
门的潜力， 应 将 拉 电 流 负 载 变 成 灌 电 流 负
载，因为大多数逻辑门的灌电流能力比拉电
流能力强，例如 ＴＴＬ 门７４××系列的ＩｏＨ＝０４ｍＡ，ＩｏＬ＝１６ｍＡ。图１１２５ 是一个用普通
ＴＴＬ 门接入三极管来驱动大电流负载的电路。
设负载的工作电流ＩＣ＝２００ｍＡ，三极管的β＝２０，则三极管的基极电流ｉＢ＝１０ｍＡ。若
不接Ｒ１、ＶＤ１、ＶＤ２，而把三极管的基极直接接 ＴＴＬ 门的输出端，则ｉＢ对 ＴＴＬ 门构成拉
０４２电流，其值已远远超过 ＴＴＬ 门拉电流的允许值，会使其ＵｏＨ大大降低，以致无法工作在开
关状态，甚至会因超过允许功耗而损坏。接入 Ｒ１、ＶＤ１、ＶＤ２ 后，当 ＴＴＬ 门输出ＵｏＨ时，
ＶＤ１ 截止，ｉＢ由＋５Ｖ→Ｒ１→ＶＤ２ 的支路提供，对 ＴＴＬ 门不产生影响。当 ＴＴＬ 门输出ＵＯＬ
时，由＋５Ｖ→Ｒ１→ＶＤ１ 的支路向 ＴＴＬ 门灌入电流，只要Ｒ１ 取值合适，就可以使灌电流保
持在 ＴＴＬ 门所 允 许 的 范 围 内。该 电 路 的 工 作 过 程 如 下：当 两 个 输 入 端 之 一 为 低 电 平 时，
ＴＴＬ 门输出ＵｏＨ，ＶＤ１ 截止，直流电源＋５Ｖ，经Ｒ１ 和 ＶＤ２ 使三极管导通，负载进入工作
状态。当两个输入端全是高电平时，ＴＴＬ 门输出ＵｏＬ，使 ＶＤ２ 和三极管均截止，负载停止
工作。
若门电路是 ＣＭＯＳ门，则应把双极性三极管换成 ＭＯＳ管。由于 ＣＭＯＳ门的拉电流和
灌电流基本相等，故 Ｒ１、ＶＤ１、ＶＤ２ 应当去掉，但必须在门的输出端和 ＭＯＳ管的栅极间
串接一个电阻，并且保留Ｒ２。
