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检测双向触发二极管
A将万用表置于R×1K挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。
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晶体管(为避免与下文中的FET产生混淆,也可称之为双极型晶体管)是P型半导体和N型半导体相互叠加,呈三明治夹层构造的元件。根据叠加顺序不同,可分为NPN型和PNP型两类。
我们来看一下工作原理。
基区?发射区和二极管结构相同。在此外加正向电压(0.7V左右)产生基极电流(IB)。大量自由电子从发射区流入基区,基区复合的载流子少于发射区扩散出来的,则自由电子剩余。剩余自由电子被集电极上外加的E2吸引。发射区扩散的载流子数量为复合载流子数量的10~数百倍,用此比率扩大IB,产生集电极电流(IC)。如IB为0时,发射区无载流子扩散,则IC也为0。也就是说,基区?发射区之间的正向电流IB可以控制基区?发射区之间的电流IC。这种特性适用于放大器和开关,构成电子电路的基本元件。通过组合这种晶体管可形成较为复杂的电子电路。
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