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    新型电子化学 品生 产技术与配方
    2019-09-19 信息编号:1058737 收藏
黏度(25℃)/Pa·s 0060±0002
固含量/% 103±03
密度(25℃)/(g/cm3) 0875
折射率(液体) 1502
(薄膜) 1544
金属杂质/×10-6
Na <002
K <002
Mg <0005
Ca <0005
Al <002
Fe <002
Cu <002
性质 环化聚异戊二烯光刻胶为淡黄色至琥珀色黏性透明液体。易溶于苯、酮、醇,并
有絮状物产生,具有感光速度快、留膜率高、分辨率高等优良性能。与二氧化硅表面有很好
的黏附性,对金属铝、铬、镍、铜、不锈钢等也有良好的黏 附 性 及 抗 蚀 性,还 可 用 于 多 晶
硅、氮化硅的等离子腐蚀,具有较高的热稳定性,高于170℃图形才稍有流动。为负性光刻
胶,感光范围280~460nm。
用途 主要用于中、大规模集成电路、功率管、精密机械制造等微细加工。
  • 硅片的化学清洗工艺原理
    一般硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分为三类。①有机杂质沾污可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。②颗粒沾污运用物理的方法可采用机械擦...
    09-19
  • 光刻胶
    又称光致抗蚀剂,随着半导体电路向超高频、高可靠、高集成方向发展。利用光刻工艺刻蚀各种精密的线条一般为12~1μm,正在研究05μm,越来越细。用作抗蚀涂层的光刻胶是光刻工艺中的关键材料,要求光刻胶的性能...
    09-19
  • 超净高纯单质化学试剂
    23Tonti首先提出以一种灵敏因子SF来说明各种杂质对不同规模集成电路成品率的影响。颗粒SF=armS3式中a———相对器件面积因子;r———线条比;m———相对湿工艺的次数因子;S———规模因子。若将256K的a、S、r、m、SF均看作为标准1时...
    09-19
  • 高纯化学试剂生产中颗粒控制的重要性
    超大规模集成电路对高纯试剂颗粒的要求是非常严格的(见表24),颗粒的粒径必须控制在所使用的最小图形尺寸的1/10~1/5,同时还要控制颗粒的浓度,否则将严重影响集成电路的质量和成品率。国外规定:1M位电路时大于05μ...
    09-19
  • 制备超净高纯试剂酸的方法
    制备超净高纯试剂酸的方法包括下列步骤。22新型电子化学品生产技术与配方(1)原料液自高位槽底部靠重力自动流出,经流量计进入预热器预热后,自石英质材料制作的蒸馏釜的顶部自动连续加入釜内,来自精馏塔...
    09-19
  • 电子级高纯三氯氧磷
    )(电子级)高纯三氯氧磷是集成电路(IC)生产和多晶硅太阳能电池精细加工中pn结制作的掺杂剂,是五价元素磷(P)扩散源。磷源有多种,气体源主要是磷烷(PH3),固体源主要是五氧化二磷(P2O5),液体源主要是三氯氧磷(POCl3)。它的纯度对集成电...
    09-19