由于边缘散热的缘故，加热器的热场是不均匀的，存在纵向和横向的温度梯度。也就是
说，单晶炉内不同的位置，温度也有所不同。单晶硅的生长要消耗硅液，硅液的液面会下
降，所以单晶硅生长的环境温度也要发生一定的变化。为了单晶硅棒能够在一个完美且不变
的环境下生长，也为了求得温度和温度梯度的一致，在实际拉晶时，硅的液面高度是保持不
变的，硅液消耗下降的尺寸，由石英坩埚的上升来弥补。这样一来，单晶硅生长的环境温度
会保持不变，所以对于单晶硅的均匀生长是极为有利的。
单晶硅每单位时间的生长量怎样计算？单晶硅的生长量可以由下式算出：
犌＝狏π狉２犱ｓ＝（狆＋犺）π狉２犱ｓ
式中 犌———单晶硅每单位时间的生长量；
狏———单晶硅棒的生长速度；
狉———单晶硅棒的半径；
犱ｓ———单晶硅棒的密度；
狆———单晶硅棒的上升速度；
犺———硅液消耗的下降速度。
由于硅的液面高度是保持不变的，硅液消耗下降的尺寸，由石英坩埚的上升来弥补。在
这种情况下，实际的单晶硅棒的上升速度就等于单晶硅棒的生长速度，因此，单晶硅每单位１２８ 光伏电池关键制造与检测技术问答
时间的生长量就可以写成：
犌＝狆π狉２犱ｓ