图8-44给出了IGBT的结构剖面图。由图可知,IGBT是在功率MOSFET的基础上发
展起来的,两者的结构十分类似,不同之处是IGBT多一个P+层发射极,可形成PN结J1,
并由此引出漏极,门极和源极与功率MOSFET相类似。
从结构图中可以看出,IGBT相当于一个由功率MOSFET驱动的厚基区GTR,其简化
等效电路如图8-45(a)所示,N沟道IGBT的图形符号如图8-45(b)所示。对于P沟道IGBT,其图形符号中的箭头方向正好相反。图中的电阻Rdr是厚基区GTR基区内的扩展电阻。
IGBT是以GTR为主导元件,功率MOSFET为驱动元件的达林顿结构。