（１）发展重点
① 微电子器件／电路用材料
ａ 集成电路用８～１６ｉｎ硅抛光片及外延片满足＜０１８μｍ 技术用的正片。
ｂ４～６ｉｎＧａＡｓ单晶片和外延材料。
ｃ３ｉｎＩｎＰ单芯片。
ｄ ＧａＡｓ、ＩｎＰ基半导体超晶格、量子阱材料。
ｅ＜０１８μｍ 技术集成电路用关键结构与工艺辅助材料 （超高纯试剂、特种气体、塑封
料、引线框架材料等）。
ｆＳＯＩ结构材料和 ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料。
ｇ 高温、抗辐射器件／电路用宽带隙ＳｉＣ 单晶及外延材料。
② 光电子材料
ａ 高功率 Ｎｄ∶ＹＡＧ 激光晶体、可 调 谐 Ｔｉ∶Ａｌ２Ｏ３ 激 光 晶 体、ＬＤ 泵 浦 和 新 波 长 激 光
晶体。
ｂ 红外探测器用大面积、高均匀性 ＨｇＣｄＴｅ外延材料及 ＣｄＺｎＴｅ衬底材料。
ｃ 超高亮度 ＬＥＤ 用 ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ 基外延材料。
ｄ 半导体激光器 （ＬＤ）用 ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ 基外延材料。
ｅＳＴＮ、ＴＦＴ 显示器用液晶材料。
ｆ 用于密集波分复用系统的 Ｇ６５５非零色散位移光纤及大尺寸光纤预制棒。
ｇ 新型非线性光学晶体。
③ 新型电子元器件用材料
ａ 磁性材料。重点发展高性能软磁铁氧体、永磁铁氧体、各向异性黏结永磁体、微波
铁氧体、纳米晶磁性材料和磁性记录材料 （高性能微细金属磁粉、高性能金属磁头材料、磁
阻效应与磁阻材料和巨磁阻材料等）。
ｂ 电子陶瓷材料。重点发展高性能介质陶瓷 （交流高压瓷料、Ⅲ型瓷料、ＭＬＣ 瓷料）、
热敏陶瓷 （ＮＴＣ、ＰＴＣ）、压敏陶瓷 （ＺｎＯ 的高压低能及 ＳｒＴｉＯ３ 双功能瓷料）、压电陶瓷、
微波陶瓷材料，全面推进陶瓷元器件的片式化，同时发展多芯片组装用陶瓷基板材料。
ｃ 压电晶体管材料。重点以手机国产化所需的９００ＭＨｚ／１８００ＭＨｚ高频ＳＡＷ 滤波器为
需求目标，完成大尺寸、高均 匀 性、高 完 整 性 的 石 英 （αＳｉＯ２）、铌 酸 锂 （ＬｉＮｂＯ３）、钽 酸
锂 （ＬｉＴａＯ３）、四硼酸锂 （Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７） 等材料的产业化，同时开展铌酸 钾 （ＫＮｂＯ３）、硅 酸
镓镧 （Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）等。新一代性能优异的压晶体管及 ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３ 和 ＳｉＯ２／ＺｎＯ／ＤＬＣ／Ｓｉ
等高声速材料的研制工作，为新一代高频ＳＡＷ 及 ＢＡＷ 器件的发展奠定基础。
ｄ 绿色电池用材料。重点发展镍氢电池正、负极材料 （ＭＨ 合金、Ｎｉ（ＯＨ）２） 和锂离
子电池正、负极材料 （ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＭＣＭＢ碳材料）。
ｅ 信息传感材料。用 于 汽 车 等 传 感 器 的 材 料，主 要 有 半 导 体 材 料 和 功 能 陶 瓷 材 料 等；
用于医疗检查和生活舒适方面传感器的材料，主要有半导体材料、功能陶瓷材料、高分子传
感材料和光纤材料等；用于办公和工农业生产自动化方面传感器的材料，主要有半导体材料
和功能陶瓷 材 料 等；用 于 通 信 广 播 领 域 传 感 器 的 材 料，主 要 有 半 导 体 材 料 和 功 能 陶 瓷 材
料等。
