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    新型电子化学品生产技术与配方 凝聚
    2019-09-19 信息编号:1058637 收藏
。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的
蒸气速率,能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶,并可得到不同材料不同厚度的互相交叠
的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题,但制备工艺与上述方法相似,一
般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。
  • 半导体材料的单晶制备
    为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响,半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高,利用...
    09-19
  • 半导体材料的提纯
    主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质,最后再把材料(元素)从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔...
    09-19
  • 半导体材料制备工艺
    半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化,而载流子迁移率和非平衡载流子寿命一般随杂质原子和晶体...
    09-19
  • 低维半导体材料
    实际上这里说的低维半导体材料(图35)就是纳米材料。从本质上看,发展纳米科学图35低维半导体材料技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳...
    09-19
  • 新型电子化学品生产技术与配方 宽带隙半导体材料
    1氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料,因为它的禁带宽度都在3eV以上,图34宽带隙半导体材料在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高,比如说碳化硅可以工作到600℃;金刚石如...
    09-19
  • 半导体材料实际运用
    制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外...
    09-19