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    国内光刻胶产品
    2019-09-19 信息编号:1058724 收藏
国内生产 (或试制)光刻胶的情况见表44。
表44 国内光刻胶产品
产品名称  牌 号  单 位
邻重氮萘酯(正胶) 
环化异戊二烯橡胶 
环化丁二烯橡胶 
聚乙烯醇肉桂酸酯 
亚肉桂基丙二酸乙二醇酯 
聚乙基氧乙基肉桂酸酯 
电子束光刻胶 
远紫外光刻胶 
X 射线光刻胶  BP207、BP208 
BP213Ⅰ 、BP213Ⅱ 、BP213Ⅲ
702、703 
ZG301 
BN302 
FHGJ(高分辨) 
FGHX(高抗) 
上试3、4、5号 
103B 
苏州1号 
HRTG1 
锡化1号 
上试1号 
FJZ11、FJZ21 
711聚酯胶 
锡化3号 
正性 XHREP1,2 
负性 XHREN1
正性 XHRDP2 
负性 XHRDN1 北京化学试剂研究所
上海化学试剂一厂
苏州电子材料厂
北京化学试剂研究所
苏州电子材料厂
黄岩有机化工厂
上海化学试剂一厂
无锡市化工研究设计院
北京化工厂
苏州电子材料厂
黄岩有机化工厂
无锡市化工研究设计院
上海化学试剂一厂
重庆东方试剂厂
北京市化工研究院
上海化学试剂一厂
无锡市化工研究设计院
无锡市化工研究设计院
无锡市化工研究设计院
无锡市化工研究设计院


第四章 电子工业用光刻胶 99
二、 光刻胶化学品性能及工艺
41 环化顺式聚1,4丁二烯
性能及用途
(1)物化性能 本品为环化橡胶类负性光致抗蚀剂,具有特殊的耐热性,350℃时不塌
胶,光敏性高,对各种基材有良好的附着力。分辨率可刻出2μm 的线条。能耐氢氟酸、磷
酸、硝酸的长时间腐蚀。对光和热敏感。
(2)主要用途 适用于集成电路和各种元件的光刻工艺,精密仪器、器件等微细图形的
加工。
产品质量标准 企业标准 (无锡化工研究设计院)。
指标名称  指 标  指标名称  指 标
外观 
固含量/% 
黏度/mPa·s 
水分/% 
密度/(g/mL) 
灰分/10-6 
金属杂质含量/10-6
Na  淡黄色透明液体
6~15
20~60
<005
087~089
<3
<1 K 
Ca 
Cu 
Fe 
Mg 
Mn 
Pb 
Al  <1
<05
<05
<05
<05
<05
<05
<1

生产工艺路线 本品以聚1,4丁二烯橡胶为原料,在催化剂作用下进行环化,再经精
制、加入交联剂、溶剂配制而成。
  • 微细加工技术的技术方向
    (1)光刻胶的技术方向现阶段光刻胶主要有两个技术方向。①从工艺的角度去考虑。普通的光刻胶在成像过程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻胶图形的对比度,从而降低了图形的分辨率。随着曝...
    09-19
  • 微细加工技术的关键及性能指标
    (1)应用性能指标集成电路的进一步发展需要相应的曝光技术的支持,光刻胶技术是曝光技术的重要组成部分。高性能的曝光工具需要与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。光刻胶在集...
    09-19
  • 刻胶的反应机理
    光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应地发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子最外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,基态与激...
    09-19
  • 作为微电子技术核心的集成电路
    概述制造技术是电子工业的基础,其发展更新的速度是其他产业无法企及的。在集成电路制作过程中,光刻是其关键工艺。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上,经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用,然后...
    09-19
  • 子工业用光刻胶
    95线,而正性胶可轻易获得孤立的洞和槽。现实生产中,胶的复杂化学性能和简单的图形转换形成了鲜明的对照。在胶中加入添加物如可塑剂,胶的黏附性能就能得到改善,而提高速度,非离子化牺牲技术可进一步改善...
    09-19
  • 正性胶和负性胶比较
    目前最常用的两种正性光刻胶为PMMA和DQN,其中PMMA为单成分胶;DQN为二成分胶,DQ为感光化合物,N为基体材料。PMMA在深紫外光照下,聚合体结合链断开,变得易溶解。PMMA对波长220nm的光最为敏感,而对波长高于240nm的光完全不敏感。PMMA要求曝光剂量大...
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