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    高纯和特纯化学试剂的应用
    2019-08-31 信息编号:1043415 收藏
超净高纯化学试剂在电子工业中的应用主要在芯片集成电路制造方面。一是用于芯片基
片在涂胶前的湿法清洗;二是用于芯片在光刻过程中的蚀刻及最终去胶。目前最为常有的有
10多种,主要分为四大 类:一 为 酸 类, 包 括 硫 酸、 氢 氟 酸、 硝 酸、 盐 酸、 磷 酸、 醋 酸 等;
二是碱类,主要为氢氧化铵;三为溶剂类,它又分醇类、酮类、酯类、烷类等;四是其他品
种,如过氧化氢、氟化铵水溶液等。
二、 国外超净高纯试剂现状及发展
超净高纯试剂是超大规模集成电路 (IC)制作过程中的关键性基础化工材料之 一,主
要用于芯片的清洗和腐蚀及硅圆片 (晶 圆) 的 清 洗,它 的 纯 度 和 洁 净 度 对 集 成 电 路 的 成 品
率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求
高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点。
到目前为止,在国际上以德国 EMerck公司的产量及所占市场份额为最大,其次为美
国 Ashland公司、Olin公司及日本的关东株式会社,另外还有美国的 MallinckradtBaker公
司、 英 国 的 BDH 公 司、 三 菱 瓦 斯 化 学、 伊 斯 曼 化 学 公 司、AlliedSignal 公 司、
Chemtech公司、PVS化学品公司、日本化学工业公司及德山公司等。近年来,新加坡、中
国台湾地区也相继建立了5000~10000t级的超净高纯试剂生产基地。
由于世界超净高纯试剂市场的不断扩大,从事超净高纯试剂研究与生产的厂家及机构也
在增多,生产规模不断扩大,但各生产厂家所生产的超净高纯试剂的标准各不相同。为了能
够规范世界超净高纯试剂的标准,国际半导体设备与材料组织 (SEMI) 于1975 年 成 立 了
SEMI化学试剂标准委员会,专门制定超净高纯试剂的国际标准。目前 SEMI将超净高纯试
剂按应用 范 围 分 为 4 个 等 级:①SEMIC1 标 准 (适 用 于 >12μmIC 工 艺 技 术 的 制 作);
②SEMIC7标准 (适用于08~12μmIC工艺技术的制作);③SEMIC8标准 (适用于02~
06μmIC工艺技术的制作);④SEMIC12标准 (适用于009~02μmIC工艺技术的制作)。
进入21世纪,国际SEMI标准化组织又根据超净高纯试剂在世界范围内的实际发展情
况对原有的分类体系进行了归并,按品种进行分类,每个品种归并为一个指导性的标准,其
中包括多个用于不同工艺技术的等级。
随着集成电路的发展,设计规范尺寸已进入亚微米、深亚微米时代,对与之配套使用的
超净高纯试剂提出了更高的要求,颗粒和杂质含量要减少1~3个数量级,并对储运也提出
了更高的要求。为了适应新的发展,在进入20世纪90年代初各主要生产厂家积极推进化学
品的经营服务 (CMS),即化学品供应者在IC 现场,承担调查IC 生产工艺与化学品的相关
因素,协调解决有关工艺化学品在应用过程中的技术问题,使IC 生产者与化学品供应者形
成了紧密的合作伙伴。由于推行 CMS,降低了企业的运行费用,缩短了研究开发周期,增
强了质量保证,改进了生产安全,减少了危险品的贮存量,保证化学品在使用点上 的 高 质
量。另外根据用户要求,工艺化学品生产者可按SEMI标准提供混配好的蚀刻液如缓冲氢氟
酸蚀刻液、混合酸蚀刻液和磷酸蚀刻液。
  • 高纯化学试剂特点
    高纯化学试剂工业有五个主要特点。①品种多,门类广,包括无机、有机、高分子、生化、元素单质、同位素等。②产品的质量标准要求高,如超纯试剂的纯度最高可达99999999%,即8~9个“9”,杂质含量不超过十亿分之几(ppb)。对...
    08-31
  • 生产工艺
    化学试剂的生产一般是将工业化学品作为原料,进行分离提纯,或用纯品与其他化学品反应。在此过程中首先要了解各种原料中含有多少杂质元素,而且要把这些杂质元素的含量减少到标准允许的范围内。有些化...
    08-31
  • 高纯和特纯化学试剂的发展
    1发展过程18世纪、19世纪,教学、科研和生产检验部门迫切需要一些定性、定量用分析试剂和化学反应用制剂,化学试剂的生产应运而生。随着科学技术和工农业生产的发展,化学试剂的品种和需要量逐渐增加,创立...
    08-31
  • 型电子元器件用材料
    a磁性材料。重点发展高性能软磁铁氧体、永磁铁氧体、各向异性黏结永磁体、微波铁氧体、纳米晶磁性材料和磁性记录材料(高性能微细金属磁粉、高性能金属磁头材料、磁阻效应与磁阻材料和巨磁阻材料...
    08-31
  • 发展重点及关键技术
    (1)发展重点①微电子器件/电路用材料a集成电路用8~16in硅抛光片及外延片满足<018μm技术用的正片。b4~6inGaAs单晶片和外延材料。c3inInP单芯片。dGaAs、InP基半导体超晶格、量子阱材料。e<018μm技术集成电路用关键结构与...
    08-31
  • 新型电子元器件用材料主要向小型化、片式化方向发展
    磁性材料、电子陶瓷材料、压电晶体管材料、绿色电池和材料、信息传感材料和高性能封装材料等将成为发展的重点。(1)磁性材料从总体上说,永磁材料正在向着高磁能积、高矫顽力、高剩磁方向发展,NdFeB永磁合金...
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