（１）发展重点
① 微电子器件／电路用材料
ａ 集成电路用８～１６ｉｎ硅抛光片及外延片满足＜０１８μｍ 技术用的正片。
ｂ４～６ｉｎＧａＡｓ单晶片和外延材料。
ｃ３ｉｎＩｎＰ单芯片。
ｄ ＧａＡｓ、ＩｎＰ基半导体超晶格、量子阱材料。
ｅ＜０１８μｍ 技术集成电路用关键结构与工艺辅助材料 （超高纯试剂、特种气体、塑封
料、引线框架材料等）。
ｆＳＯＩ结构材料和 ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料。
ｇ 高温、抗辐射器件／电路用宽带隙ＳｉＣ 单晶及外延材料。
② 光电子材料
ａ 高功率 Ｎｄ∶ＹＡＧ 激光晶体、可 调 谐 Ｔｉ∶Ａｌ２Ｏ３ 激 光 晶 体、ＬＤ 泵 浦 和 新 波 长 激 光
晶体。
ｂ 红外探测器用大面积、高均匀性 ＨｇＣｄＴｅ外延材料及 ＣｄＺｎＴｅ衬底材料。
ｃ 超高亮度 ＬＥＤ 用 ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ 基外延材料。
ｄ 半导体激光器 （ＬＤ）用 ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ 基外延材料。
ｅＳＴＮ、ＴＦＴ 显示器用液晶材料。
ｆ 用于密集波分复用系统的 Ｇ６５５非零色散位移光纤及大尺寸光纤预制棒。
ｇ 新型非线性光学晶体。