掺杂的目的是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中，并且希望掺
入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求，以改变电学性质，实现器件制备的 功 能 指
标。中、小规模集成电路制造中广泛采用热扩散掺杂技术，超大规模和特大规模集成电路制
造工艺中多采用离子注入掺杂技术。特别是在热扩散掺杂技术中使用的各种材料的纯度和洁
净度都有极高的要求。在集成电路 （ＩＣ）、分离器件、芯片加工和太阳能电池板制作过程中
均会用 到 掺 杂 技 术。 另 外 在 光 纤 制 造 过 程 中 为 了 改 变 光 纤 的 性 能 也 会 用 到 三 氯 氧 磷
（ＰＯＣｌ３）等超净高纯物质。