其 他 硅 烷 偶 联 剂 Ａ１５０，Ａ１５１，Ａ１８６，Ａ１８８，Ａ１８９，Ａ１１２０，ＳＨ
６０５０等。
硅烷偶联剂在两种不同性质材料之间的界面作用机理有多种解释。常用的理论有：
化学键理论、表面浸润理论、变形层理论和拘束理论等。但迄今为止，还没一种理论能
解释所有的事实，其中化学键合模型被认为是比较成功的一种解释，该理论认为有机硅
烷偶联剂通过空气中水分引起水解，然后脱水缩合形成低聚物，这种低聚物再与无机填
料表面羟基形成氢键，通过加热干燥发生脱水反应产生部分共价键，从而使无机填料表
面被有机硅烷偶联剂所覆盖，进而提高无机填料和有机填料相容性等各项性能。
在研究化学键合理论的基础上，对硅烷偶联剂作用过程提出了四步反应模型。①与
硅相连的３个Ｓｉ—Ｘ基水解成３个Ｓｉ—ＯＨ；②Ｓｉ—ＯＨ 之间脱水缩合成含Ｓｉ—ＯＨ 的低
聚硅氧烷；③低聚物中Ｓｉ—ＯＨ 与基材表面 ＯＨ 形成氢键；④加热固化过程中伴随脱水
１９４ 反应而与基材形成共价键连接。上述四步反应如图１１１所示。
图１１１ 硅烷偶联剂与无机物反应的机理