杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这
些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选
择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流
的影响而产生杂质分布的起伏。此外，无论采用哪种晶体生长方法，生长过程中容器、加热
器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶
体生长条件 （例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。随
着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也
要有所限制。因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各
种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。