与配方
从而阻挡晶片表面与导电的金属层之间良好的电性接触。
去除这些薄的氧化层是很多工艺的需要。有一层氧化物的硅片表面具有吸湿性，没有氧
化物的表面具有憎水性。氢氟酸是去除氧化物的首选酸。在初始氧化之前，当晶片表面只有
硅时，将其放入盛有最强的氢氟酸 （４９％） 的池中清洗。氢氟酸将 氧 化 物 去 除，却 不 刻 蚀
硅片。
在以后的工艺中，当晶片表面覆盖着之前生成的氧化物时，用水和氢氟酸的混合溶液可
将圆形的孔隙中的薄氧化层去除。这些溶液的强度从１００∶１到１０∶７ （Ｈ２Ｏ∶ＨＦ） 变化。
对于强度的选择依赖于晶片上氧化物的多少，因为水和氢氟酸的溶液既可将晶片上孔中的氧
化物刻蚀掉，又可将表面其余部分的氧化物去除。既要保证将孔中的氧化物去除，同时又不
会过分地刻蚀其它的氧化层，就要选择一定的强度。典型的稀释溶液是１∶５０到１∶１００。
如何处理硅片表面的化学物质是一直以来清洗工艺所面临的挑战。一般地，栅氧化前的
清洗用稀释的氢氟酸溶液，并将其作为最后一步化学品的清洗。这叫做 ＨＦ结尾。ＨＦ结尾
的表面是憎水性的，同时对低量的金属污染是钝化的。然而，憎水性的表面不轻易被烘干，
经常残留水印。另一个问题是增强了颗粒的附着，而且还会使电镀层脱离表面。
