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    碱金属和重金属杂质含量要求控制
    2019-08-31 信息编号:1043392 收藏
10-9数量级。
高纯气体采用自动空分装置和终端纯化来制备。特种气体采用化学反应发生气体后,经
高性能吸附剂、气体吸附分离或低温技术、气体膜分离技术来制备。为了保证使用气体的洁
净度,在现场再经气体微孔膜过滤。
(4)环氧塑封料
在集成电路生产后道工序中,对芯片均需进行封装保护。封装 可 采 用 包 封、灌 封 和 模
塑,集成电路常用模塑方式。对模塑材料不仅要求高纯度低杂质,还要满 足 耐 热 性、成 型
快、快速固化、低应力、低射线和耐湿性等特殊要求。对其主要原料邻甲酚环氧树脂、线性
酚醛树脂和高纯熔融硅微粉的质量都有严格要求。对64M 位存储器芯片,已采用聚酰亚胺
类模塑料。
  • 电子气可分为高纯气体和特种气体
    。用于晶体生成、成膜工艺中H2、N2、O2、Ar等高纯气体和用于成膜、掺杂工艺中,硅烷(SiH4)、二氯二氢硅(H2SiCl2)、磷烷(PH3)、砷烷(AsH3)和乙硼烷(B2H6)等特种气体。随着集成度的提高对电子气也提出更高要求,见表14。...
    08-31
  • 工艺的发展对试剂要求的变化
    集成度(DRAM)64K256K1M4M16M64M危险颗粒尺寸/μm0.50.20.20.10.060.06控制颗粒数(>0.5μm)/(个/mL)500100401510.2金属杂质100×10-910×10-94×10-91×10-90.1×10-90.05×10-9(2)光刻胶光刻胶用做抗蚀涂层,是完成光刻工序的关键材料。从表13可以看出微细加工的发展,对其光刻胶提出更高要求。表13微细加工的发展集成度...
    08-31
  • 超净高纯试剂
    由于超净高纯试剂在清洗、光刻工序中,直接与硅片相接触,随着集成度的不断提高,对试剂中可溶性杂质和固体颗粒的控制也越来越严。从表12可以看出工艺的发展对试剂要求的变化。...
    08-31
  • 国外集成电路存储器工艺技术的变化
    年份1970年1975年1980年1983年1986年1989年1992年1995年1998年集成度(DRAM)1K16K64K256K1M4M16M64M256M加工线宽/μm105321208055035023新一代集成电路要求有相应的新材料配套。在集成电路生产工艺中,需光刻、腐蚀、掺杂清洗和封装等数十道工序,其中关键材料有超净高纯试剂、光刻胶...
    08-31
  • 我国电子化学品的现状和发展
    电子化学品是为电子工业配套的专用化学品,具有品种多、质量要求高、投资大、更新换代快等特点。处于电子工业前沿集成电路生产,更具有代表性。尤其进入20世纪80年代以来,每隔2~3年就有新一代集成电路问世。...
    08-31
  • 从事SMD 封装的企业屈指可数
    。近千家封装厂年收入不及一个中国台湾龙头亿光的收入,而亿光跟韩国厂家的差距也很大。中国大陆厂家的技术低下,大多从事四元黄绿光LED生产,主要用于户外景观、装饰或广告。中国大陆虽然是全球最大的消...
    08-31