随着ＩＣ 存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽可能的增大，因此氧化膜变
得更薄，而超净高纯试剂中的碱金属杂质 （Ｎａ、Ｃａ等）会溶进氧化膜中，从而导致耐绝缘
电压下降；若重金属杂质 （Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｇ等）附着在硅晶片的表面上，会使ｐｎ结耐电
压降低。杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。因此，随着微
电子技术的飞速发展，对超净高纯试剂的要求也越来越高，不同级别超净高纯试剂中的金属
杂质和颗粒的含量要求各不相同，而配套于不同线宽的ＩＣ 工艺技术。近年来超净高纯试剂