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    常用的扩散源和扩散工艺
    2019-08-31 信息编号：1043453 收藏
见表２１３。
表２１３ 常用的扩散源和扩散工艺
序号  类别  源 物 质  扩散工艺
１  固态源  三氧化二硼（Ｂ２Ｏ３）、五氧化二磷（Ｐ２Ｏ５）  热扩散工艺
２  液态源 三溴化硼（ＢＢｒ３）、三氯化 硼（ＢＣｌ３）、三 氯 氧 磷（ＰＯＣｌ３）、硼 乳 胶 扩 散 源、磷 酸 三 甲（乙）
酯、硼酸三甲（乙）酯等 热扩散工艺
３  气态源  磷烷、硼烷、砷烷、六氟化硫等  离子注入

第四节 超净高纯试剂品种生产工艺及应用实例
  • 超净高纯化学试剂在掺杂技术中的应用
    掺杂的目的是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中，并且希望掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求，以改变电学性质，实现器件制备的功能指标。中、小规模集成电路制造中广泛...
    08-31
  • 常用的超净高纯化学试剂
    序号产品名称用途序号产品名称用途１２３４５６７环己烷环戊酮乙酸乙酯乙酸丁酯乳酸乙酯丙二醇丙二醇单甲醚乙酸酯光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂８９１０１１１２１３环己酮环戊酮Ｎ甲基...
    08-31
  • 超净高纯化学试剂在光刻工艺中的应用
    光刻技术是集成电路工艺中的关键技术。在光刻过程中分７个步骤，即涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。在以上７个步骤中除前烘、曝光和坚膜外其余四个步骤中均会用到超净高纯化学试剂。光刻胶...
    08-31
  • 超净高纯化学试剂
    在刻蚀工艺中的应用在集成电路工艺的诸多加工步骤中，为了有效去除前一加工步骤造成的污染，做到表面清洁，会经常对晶片进行清洗，为下一步加工步骤创造条件。清洗工艺主要除去各种对电子线路的实现有阻...
    08-31
  • 有关沾污类型、来源和常用清洗试剂
    表２９。表２９沾污类型、来源和常用清洗试剂沾污类型可能来源清洗用化学品颗粒设备、车间空气、工艺气体和化学试剂、去离子水氨水、双氧水、Ｈ２Ｏ２、烧碱、Ｈ２Ｏ金属设备、高纯试剂、离子注入、灰化和反应离子...
    08-31
  • 集成电路生产过程中的主要污染物及其危害
    集成电路生产中可能接触到的主要污染物有微粒杂质、无机离子、有机物质、微生物以及气体杂质等。从广义上说，不适宜的温度、湿度、照度、超过限度的静电、电磁噪声、空气噪声以及微振动等，也都是特...
    08-31
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