温度梯度对单晶硅生长有何影响呢？
单晶硅是靠熔化的多晶硅在籽晶上重新凝固 （结晶）形成的，它与温度有直接关系。单
晶硅是完整的晶体，因此有一定的熔点，是１４２０℃。这就是说，石英坩埚里的硅液温度一
定高于１４２０℃，不然它就不会是液体，而在籽晶上重新凝固成晶体，其温度必须低于
１４２０℃，不然它就不会形成结晶的固体。也就是说，单晶硅生长时，籽晶与硅液之间要有一
定的温度梯度。如果没有温度梯度，硅液是不可能凝固成晶体的。
上述的温度梯度是发生在固液界面处的纵向温度梯度，是晶体、熔体、环境三者传热、
放热和散热综合影响的结果。拉晶时，固液界面处的纵向温度梯度直接决定着单晶硅的
质量。
拉晶时，固液界面处的纵向温度梯度 （见图６２２），总的来说，温度是上低下高。再
有，固液界面以上温度变化大，即温度梯度大；固液界面以下温度变化小，即温度梯
度小。