热载体在沉积硅的过程中，为了保持还原所需的温度，随着反应时间的延长和硅棒的不断
长粗，都需要逐渐地提高电流，以维持足够的反应温度，这样一来，其电压和电流都在不断地
变化。这种电压和电流的变化规律称为 “伏安特性”，也可以称为 “电压电流特性”。
不同的材料作为发热体时，其伏安特性是不一样的。硅和钼也不例外，它们的伏安特性如
图５２０所示。从图５２０中可以看出，硅的伏安特性曲线是起始电压很高，随着反应时间的延
长，电流很快地增大，电压也逐渐地下降。反应开始时，电压下降很快，到反应后期，由于硅
棒粗，电流大，电压变化就不大了。
从图５２０中可以看出，钼的伏安特性曲线是起始电压很低，随着反应时间的延长，电流
很快地增大，电压也逐渐地上升。当电流增大至一定值时，电压出现峰值，以后随着电流的增
大，电压逐渐下降，到反应后期，由于硅棒粗，电流大，电压变化就显著了。
以上区别主要是由于金属导体钼和半导体材料硅的特性不同所致。金属导体钼当温度变化
时，电阻的变化较小；半导体材料硅在常温下电阻很大，当温度变化时，电阻也随之变化，当
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图５２０ 硅和钼的伏安特性曲线
温度很高时，电阻却很小。
钼作为热载体，开始反应时是钼起主要导电作用，反应一定时间后，由于多晶硅棒的截面
面积的增大，使得起主要导电作用的就不再是钼而是硅了。
)&)目前，单晶硅和多晶硅生产都是高耗能的，每千克产品要消耗大量的电能，这对持续发展
极为不利。尤其是多晶硅，它不仅耗能高，而且还污染严重，如不加治理，将影响人类的生
存。因此，要想生产单晶硅和多晶硅，就要搞好环保和节能两项任务。
