杂质在硅的熔体中有三大效应：第一是扩散效应；第二是蒸发效应；第三是分凝效应。
杂质的原子、分子进入硅的熔体之后，会慢慢地向硅熔体的深处迁移，最终会扩散到硅的
整个熔体内，这就是杂质的扩散效应。杂质的扩散总是由杂质浓度高的地方向浓度低的地方迁
移，这种迁移，在气体中最快，在固体中最慢，在液体中居中。
在高温下，有些杂质会在硅熔体中蒸发，这就是杂质的蒸发效应。
在硅熔体结晶的过程中 （硅熔体是液体，而结晶后是固体），也就是由液体到固体的过程
中，进入固体的杂质和留在硅熔体中的杂质，浓度不相同，这就是杂质的分凝效应。