IGBT 管驱动单元由推挽电路与前级比较器 IC2D 组成，具体电路结构如图
1-18 所示。
比较器 IC2D 的“?” 输入端是输入同步振荡控制电路产生的锯齿波形，比较
器 IC2D 的“+” 输入端是 PWM 调控电路调制出来的基准电压，此电压也称 IGBT
管导通时间控制电压，“+” 输入端和“?” 输入端通过比较器 IC2D 比较后，在比第 1 章 电磁炉的工作原理
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较器 IC2D 输出端产生 IGBT 管的驱动方波，驱动方波通过由两个极性互补的三
极管 Q3、 Q4 组成的推挽电路，将 DEVICE 输出端的输出脉冲电压提高到 18V 左
右， 以满足 IGBT 管的驱动要求。当比较器 IC2D“+” 输入端的 IGBT 管导通门
限电压改变时，驱动电路输出的方波占空比也会随之改变，因此 IGBT 管的导通
时间也会改变。由前面逆变部分电路分析可知， IGBT 管的导通时间直接影响电
磁炉的输出功率，所以要改变电磁炉输出功率， 只要在电路上改变驱动电路比较
器 IC2D“+” 输入端的基准电压即可。
图 1-18 IGBT 驱动电路原理图