① 高压谐振电容。 高压谐振电容一般并联于线圈盘，一般要求耐压大于
1100V，高频特性优良，高频损耗小，分布电感小，能提供一定的无功功率，自愈
能力强。 在电磁炉中常常选用 MKPH 系列电容，常用参数有 0.15μF/1200V、
0.27μF/1200V 、 0.3μF/1200V 、 0.33μF/1200V 、 0.38μF/1200V 、 0.15μF/1500V 、
0.2μF/1500V、 0.22μF/1500V， 外形如图 1-28（a） 所示。该电容在更换时不得采
用其他介质类型的电容进行代换，其参数也不宜随意更改。
② 励磁线圈盘。励磁线圈盘简称“线盘”，线圈盘是一种绕制方法特殊的电
感器，与高压谐振电容并联后组成 LC 并联谐振电路， 其性能直接关系到电磁炉
的输出效率。线盘一般由多股漆包线绞并后，在特制的导磁骨架内按水平方向绕
制，外形如图 1-28（b） 所示。常用的参数有 137mH、 140mH、 157mH、 210mH、
260mH，更换时不可大意，应使用原厂配件进行更换。
③ 高频滤波电容。高频滤波电容又称“X2 电容”。 该电容在电路中主要用来
滤除在逆变过程中产生的各种谐波，该电容对主电源的直流滤波作用不是很明
显， 一般要求耐压大于直流 380V，高频特性优良，高频损耗小，分布电感小，能
提供一定的无功功率，自愈能力强，外形如图 1-28（c） 所示。电磁炉常用的参数
有 1μF/400V、 2μF/400V、 3μF/400V、 4μF/400V、 5μF/400V、 6μF/400V， 更换要
求与高压谐振电容相同。
④ 扼流圈。扼流圈又称“滤波电感”，主要对主电源提供的直流电进行平滑
滤波，并增大主电源在高频状态下的内阻，防止在逆变过程中产生的各种谐波通
过主电源污染电网，其外形如图 1-28（d） 所示。电磁炉中常用的扼流圈参数有
420mH/13A、 470mH/13A、 580mH/13A、 680mH/13A，更换按“大电感（电感值
大）可代换小电感，小电感不代换大电感” 的原则进行，该电感烧毁多是由高频
滤波电容损坏引起的。
⑤ 电流互感器。电流互感器又称“比流器”，电流互感器属于特殊变压器的
一种，其初级线圈只有一匝，线径很粗。 次级线圈一般为初级线圈的整数倍，且
非常细小，外形如图 1-28（e） 所示。在电磁炉中， 电流互感器是唯一一个检测整
机电流的元件。要求灵敏度高、转换线性好、体积不能太大，在电磁炉中常用的
参数有 1∶500、 1∶850、 1∶1000、 1∶1200、 1∶1500、 1∶1800、 1∶2500、 1∶3000，
在电磁炉电路中要求电流互感器的参数非常精密，在更换时应严格采用原参数配32
电磁炉维修技术问答
件，不宜代换，否则会出现“不检锅”、“不加热”、“加热异常” 现象， 严重时 IGBT
立即烧毁，因此更换时应谨慎对待。
⑥ IGBT。 IGBT 管是电磁炉中最关键的器件，也是比较昂贵的器件，在电磁
炉中用作线盘的励磁控制管。它的全称为“绝缘栅双极晶体管（Iusulated Gate
Bipolar Transistor）”，是一种集 BJT 的大电流密度和 MOSFET 管等电压激励场控
型器件优点于一体的高压、高速、 大功率半导体器件， IGBT 管的外形如图 1-28
（f） 所示。
（a）高压谐振电容 （b）线圈盘
（c）高频滤波电容 （d）扼流圈
（e）电流互感器 （f） IGBT 管
图 1-28 电磁炉常用特殊元件第 1 章 电磁炉的工作原理
33
目前有用不同材料及生产工艺制作的 IGBT 管，但它们的内部结构均可看
成是一个 MOSFET 管输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构，并有以下
特点。
? 电流密度大，是 MOSFET 管的数十倍。
? 输入阻抗高，栅极驱动功率极小，驱动电路简单。
? 导通电阻低，在一定的芯片面积和耐压下，其导通电阻小于 MOSFET 管
的 1/10。
? 击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不易损坏。
? 开关速度快，开关频率可直达 100kHz， 开关损耗小。
在更换电磁炉中的 IGBT 时，也应严格按照原型号进行更换，切不可盲目
代换。
以上 6 种元件就是电磁炉中比较关键，而且参数要求也比较严格的元件，维
修人员在更换时应认真对待，切不可掉以轻心。