光纤吸收损耗是制造光纤的材料本身造成的损耗，包括紫外吸收、红外吸收和
杂质吸收。
吸收损耗是由SiO2材料引起的固有吸收和由杂质引起的吸收产生的。由材料电子跃迁引起的吸收带发生在紫外（UV）区（λ<0.4μm），由分子振动引起的吸收带发生在红外（IR）区（λ>7μm），由于SiO2是非晶状材料，两种吸收带从不同方向伸展到可见光区，参看图2.14。
由此而产生的固有吸收很小，在0.8～1.6μm波段，小于0.1dB/km，在1.3～1.6μm波段，小于0.03dB/km。光纤中的杂质主要有过渡金属（例如Fe2+、Co2+、Cu2＋）和氢氧根（OH−）离子，这些杂质是早期实现低损耗光纤的障碍。由于技术的进步，目前过渡金属离子含量已经降低到其影响可以忽略的程度。由氢氧根离子（OH−）产生的吸收峰出现在0.95μm、1.24μm和1.39μm波长，其中以1.39μm的吸收峰影响最为严重。目前OH−的含量已经降低到10−9以下，1.39μm吸收峰损耗也减小到0.5dB/km以下。