（１）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色 （超高亮
度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，
加强 ＭＢＥ 和 ＭＯＣＶＤ 两 个 基 地 的 建 设， 引 进 必 要 的 适 合 批 量 生 产 的 工 业 型 ＭＢＥ 和
ＭＯＣＶＤ 设 备 并 着 重 致 力 于 ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｌＰ／ＩｎＧａＰ，ＧａＮ 基 蓝 绿 光 材 料，Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ等材料体系的实用化探究是当务之急。到２０１０年，每年能具备
至少１００万平方英寸 ＭＢＥ 和 ＭＯＣＶＤ 微电子和光电子微结构材料的生产能力。
宽带隙高温半导体材料如ＳｉＣ、ＧａＮ 基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及 ＺｎＯ 等材料
也应择优布点，分别做好探究和开发工作。