（１）清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有
较强的去除晶片表面金属的能力，但经 ＳＣ１洗后虽能去除 Ｃｕ等金属，而晶片表面形成的
自然氧化膜的附着 （特别是 Ａｌ）问题还未解决。
（２）硅片表面经ＳＣ２液洗后，表面 Ｓｉ大部分以 Ｏ 键为终端结构，形成一层自然氧化
膜，呈亲水性。
（３）由于晶片表面的ＳｉＯ２ 和Ｓｉ不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。
据报道将经过ＳＣ２液洗后的硅片分别放到添加 Ｃｕ的 ＤＨＦ 清洗或 ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２ 清洗液
中清洗，硅片表面的 Ｃｕ浓 度 用 ＤＨＦ 液 洗 为１０１４原 子／ｃｍ２，用 ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２ 洗 后 为１０１０原
子／ｃｍ２。即说明用 ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２ 液清洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技
术中，常使用 ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２ 来代替 ＤＨＦ清洗。