混合集成电路技术的飞速发展对封装材料提出了更新、更高的要求，使传统封装材料面
临挑战。实际上，目前没有一种单一材料能同时具备低 ＣＴＥ、高热导率、价格低廉、加工
工艺简单的优点，故难以满足当今航天航空、舰船和雷达对大功率、小体积、轻量的便携式
电子模块的需求。因此，要想跟上高级混合电路的发展步伐，必须大力开发金属基 复 合 材
料。目前，美国的 ＣＰＳ公司研制出新型 ＡｌＳｉＣ 金属基体复合物 （ＭＭＣ）封装材料，它具有
高热导率、低 ＣＴＥ、低密度、低成本等优点，而且在 ＡｌＳｉＣ 加工工艺中，诸如绝缘子、密
封环和基极可以气密性封装在一起，具有很高的可靠性，因而使其成为具有大功率 Ｓｉ片或
ＧａＡｓ芯片的高级混合微电路的理想封装材料。
ＡｌＳｉＣＭＭＣ 是通过金属铝熔液的压力渗透到特殊的 ＳｉＣ 预制件来制作，它是由连续的
铝金属和不连续的 ＳｉＣ 颗粒构成。这种复合材料很致密、无空洞，是 优 良 的 气 密 性 封 装 材
料。该材料结合了 Ａｌ和ＳｉＣ 各自的优点，其特性取决于ＳｉＣ 的含量、粒度分布和 Ａｌ金属的
性质。一般在封装应用中ＳｉＣ 的含量占５０％～６８％。在这一范围的性能与价格比最佳。