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    国内电子化学品上市公司现状概况
    2019-08-31 信息编号:1043393 收藏
随着电子消费品需求恢复增长以及全球大力发展新能源以及电子产业及上游向中国转
移;液晶、电解液等精细化工中电子化学品的发展最为看好。
电子化学品2010年一季度业绩表现抢眼,同比增速20%~200% 不等,大大高于其他
精细化工产品,主要原因是中国企业逐渐取得技术上的突破,在国际和国内市场的占有率不
断提高。随着电子化学品逐渐进入成长期,未来有望长期保持高速增长。因此,在未来市场
存在巨大不确定性的条件下,具有资源成本优势与核心技术创新竞争力,产品附加值高、关
联度强、替代进口和填补空白的电子化学品生产企业将有较强的生存能力。相关上市公司主
要有:永太科技、多佛多。
永太科技:有机氟精细化工龙头。公司是我国产品链最完善,产能最大的氟苯系列精细
化学品龙头企业。公司产品线丰富,产品应用于液晶化学品、医药化学品、农药化学品等多
个方面。其中高端液晶化学品量产带来的想象空间巨大。随着新厂区建成产能释放及募投项
目建成投产,未来几年业绩成长性非常突出。
近年来,国内外厂商竞相投入高世代面板生产线,在面板产能扩张的带动下,全球液晶
材料的需求也呈现快速增长。公司生产液晶产品最大的优势在于经过自主改进生产工艺,产
品成本明显低于同业其他厂家。近三年公司液晶化学品毛利率都保持在45% 左右,其中部
分产品毛利率接近50%。且产品质量 很 好,募 投 项 目 建 成 后 将 在 新 厂 区 形 成 年 产 共 计81t
L1L5系列 TFT 液晶材料的产能。项目所生产的 L1L5系列产品是新型 TFTLCD 液晶材
料的关键中间体,是公司现有液晶化学品产品链的延伸,具有更高的产品附加值。目前国内
尚无生产商形成规模化生产,市场空间巨大。募投项目投产后液晶产品将兼具质量和供应量
的优势。未来几年液晶材料项目将带来公司利润飞跃式增长。
多佛多:公司是全球最大的氟化盐供应商。在氟化盐综合产能、产量和市场占有率等方
面均居于同行业第一。目前,电子级氟化物需求随着信息电子产业的快速发展有较大增长,
产品利润空间大,未来市场前景广阔。以六氟磷酸锂为例,它是锂离子电池中最主要的电解
第一章 绪论 7
质锂盐。2007年全球锂离子电池产能已达到221亿只,其中使用六氟磷酸锂为电解质的液
态锂离子电池占82%。
据预计,未来几年锂离子电池产业将进入快速增长阶段。手机及笔记本电脑等消费电子
产品对锂离子电池的需求将不断扩大。新一代电动汽车和混合电动汽车等无污染、少污染、
能源多样化配置的新型交通工具面临着较大的发展机会,也将带动六氟磷酸锂市场需求的快
速增长。未来六氟磷酸锂将借力锂电池高速增长,但是目前技术仅为日本、韩国等少数几家
掌握;且产需缺口明显,国内基本依赖从日本进口,尚无能力自行生产,供需紧张致使目前
产品价格高,产品毛利率高达70%左右。但因其特殊物化性质决定其生产难度大,其合成
关键在于原料纯度及合成过程控制。
多佛多挟雄厚的技术积淀和十年氟化工行业经验进军六氟磷酸锂领域。截至2009年底,
多佛多已经申请了6项六氟磷酸锂相关专利,并建成了2t/a的六氟磷酸锂中试装置,依靠
自己技术并融合德国工艺的200t/a的产业化装置预计2010年下半年投产,2011年还将建设
1000t/a六氟磷 酸 锂 装 置。 项 目 成 功 后, 公 司 将 完 成 由 无 机 氟 化 工 向 精 细 氟 化 工 的 华 美
转身。
  • 碱金属和重金属杂质含量要求控制
    10-9数量级。高纯气体采用自动空分装置和终端纯化来制备。特种气体采用化学反应发生气体后,经高性能吸附剂、气体吸附分离或低温技术、气体膜分离技术来制备。为了保证使用气体的洁净度,在现场再经气体...
    08-31
  • 电子气可分为高纯气体和特种气体
    。用于晶体生成、成膜工艺中H2、N2、O2、Ar等高纯气体和用于成膜、掺杂工艺中,硅烷(SiH4)、二氯二氢硅(H2SiCl2)、磷烷(PH3)、砷烷(AsH3)和乙硼烷(B2H6)等特种气体。随着集成度的提高对电子气也提出更高要求,见表14。...
    08-31
  • 工艺的发展对试剂要求的变化
    集成度(DRAM)64K256K1M4M16M64M危险颗粒尺寸/μm0.50.20.20.10.060.06控制颗粒数(>0.5μm)/(个/mL)500100401510.2金属杂质100×10-910×10-94×10-91×10-90.1×10-90.05×10-9(2)光刻胶光刻胶用做抗蚀涂层,是完成光刻工序的关键材料。从表13可以看出微细加工的发展,对其光刻胶提出更高要求。表13微细加工的发展集成度...
    08-31
  • 超净高纯试剂
    由于超净高纯试剂在清洗、光刻工序中,直接与硅片相接触,随着集成度的不断提高,对试剂中可溶性杂质和固体颗粒的控制也越来越严。从表12可以看出工艺的发展对试剂要求的变化。...
    08-31
  • 国外集成电路存储器工艺技术的变化
    年份1970年1975年1980年1983年1986年1989年1992年1995年1998年集成度(DRAM)1K16K64K256K1M4M16M64M256M加工线宽/μm105321208055035023新一代集成电路要求有相应的新材料配套。在集成电路生产工艺中,需光刻、腐蚀、掺杂清洗和封装等数十道工序,其中关键材料有超净高纯试剂、光刻胶...
    08-31
  • 我国电子化学品的现状和发展
    电子化学品是为电子工业配套的专用化学品,具有品种多、质量要求高、投资大、更新换代快等特点。处于电子工业前沿集成电路生产,更具有代表性。尤其进入20世纪80年代以来,每隔2~3年就有新一代集成电路问世。...
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