超大规模集成电路对高纯试剂颗粒的要求是非常严格的 （见表２４），颗粒的粒径必须
控制在所使用的最小图形尺寸的１／１０～１／５，同时还要控制颗粒的浓度，否则将严重影响集
成电路的质量和成品率。国外规定：１Ｍ 位电路时大于０５μｍ 的颗粒少于１００个／ｍＬ，４Ｍ
位电路时大于０５μｍ 的颗粒少于１个／ｍＬ。以０２５μｍ 的 ＤＲＡＭ 为例，其晶体管的密度达
到３７×１０６ 个／ｃｍ２。如果颗粒控制出现问题，将对集成电路造成严重的损害。