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    超净高纯试剂的生产工艺路线与质量标准
    2019-08-31 信息编号:1043456 收藏
21 磷酸 (集成电路用)
英文名 phosphoricacid (forICuse)
性能及用途
(1)物化性能 无色透明黏稠状液体,在25℃时密度为170g/mL。易溶于水和乙醇,
受冷时可以从水溶液中生成柱状结晶,但熔点较低,稍加热即可熔化。当加热至150℃ 时,
开始失去化合之水,至215℃可转为焦磷酸,至300℃转为偏磷酸。
(2)主要用途 酸性清洗腐蚀剂,可以与乙醇配制使用。
产品质量标准
指 标 名 称  MOS级企业标准
5~10μm 颗粒 BVⅠ级企业标准
2μm 以上颗粒 ELUM 级
企业标准
05μm 以上颗粒
颗粒数/(个/100mL) 
含量/% 
色度(黑曾单位) 
杂质最高含量/×10-6
挥发酸(CH3COOH) 
氯化物(Cl- ) 
硫酸盐(SO2- 4 ) 
硝酸盐(NO3- ) 
还原高锰酸钾物质 
锂(Li) 
钠(Na) 
钾(K) 
铜(Cu) 
镁(Mg) 
钙(Ca) 
锶(Sr) 
钡(Ba) 
锌(Zn) 
镉(Cd) 
铝(Al) 
铅(Pb) 
砷(As) 
锑(Sb) 
锰(Mn) 
铁(Fe) 
镍(Ni)  ≤2700 
>850 
— 
10 
1 
30 
5 
10 
0.5 
10 
5 
5 
10 
20 
0.1 
0.1 
10 
5 
03 
5 
0.5 
1 
5 
10 
5  ≤300 
>850 
— 
10 
1 
10 
— 
10 
— 
01 
01 
002 
— 
— 
— 
— 
— 
— 
— 
0.2 
0.05 
— 
0.01 
0.05 
0.05  ≤5000
860±10
≤10
10

10

50
0.5
01
01
01
0.1

0.1
0.1


03

0.05

0.1
0.5
0.1


第二章 超净高纯单质化学试剂 31
生产工艺路线 可采用高纯三氯氧磷水解工艺制备磷酸。工业三氯氧磷经高效精馏塔精
馏制备高纯三氯氧磷,将其在高纯水中水解,要精心控制反应速率,防止发生激烈反应。所
得到的磷酸水溶液,经脱酸、脱水后,即为所需磷酸。
也可采用工业磷酸经重结晶进行提纯,用水将磷酸稀释至密度16g/mL 以下,经过滤
后再蒸发至密度170g/mL 左右,冷却后可得到松散状水合结晶,达到与杂质分离的目的。
但蒸发时溶液不可过浓,否则得到无水结晶,坚硬、质量差,失去重结晶目的。
22 丁酮 (集成电路用)
英文名 butanone;methylethylketone (forICuse)
性能及用途
(1)物化性能 沸点796℃;密度 (25℃)080g/mL;折射率 (n20 D )1379。无色透
明易燃液体,丁酮在水中溶解度为226% (质量),水在丁酮中溶解度为99% (质量)。溶
于醇和醚,在空气中爆炸极限为2%~10%。
  • MOS级超净高纯试剂
    级别目前,试剂所已经投入规模生产的主要有MOS级和BVⅢ级两个级别的超净高纯试剂,其中MOS级超净高纯试剂主要用于中小规模集成电路及分立器件的制作,BVⅢ级超净高纯试剂主要用于08~12μmIC工艺技术的制作。其主...
    08-31
  • 超净高纯试剂的规格与品种
    1主要品种产品主要包括硫酸、氢氟酸、过氧化氢(双氧水)、氢氧化铵(氨水)、硝酸、盐酸、氟化铵、磷酸、异丙醇、无水乙醇、甲醇、丙酮、丁酮、环己烷、乙酸丁酯、乙酸乙酯、甲苯、二甲苯等。...
    08-31
  • 常用的扩散源和扩散工艺
    见表213。表213常用的扩散源和扩散工艺序号类别源物质扩散工艺1固态源三氧化二硼(B2O3)、五氧化二磷(P2O5)热扩散工艺2液态源三溴化硼(BBr3)、三氯化硼(BCl3)、三氯氧磷(POCl3)、硼乳胶扩散源、磷酸三甲(乙)酯、硼酸三甲(乙)酯等热扩散工...
    08-31
  • 超净高纯化学试剂在掺杂技术中的应用
    掺杂的目的是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中,并且希望掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求,以改变电学性质,实现器件制备的功能指标。中、小规模集成电路制造中广泛...
    08-31
  • 常用的超净高纯化学试剂
    序号产品名称用途序号产品名称用途1234567环己烷环戊酮乙酸乙酯乙酸丁酯乳酸乙酯丙二醇丙二醇单甲醚乙酸酯光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂光刻胶溶剂8910111213环己酮环戊酮N甲基...
    08-31
  • 超净高纯化学试剂在光刻工艺中的应用
    光刻技术是集成电路工艺中的关键技术。在光刻过程中分7个步骤,即涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。在以上7个步骤中除前烘、曝光和坚膜外其余四个步骤中均会用到超净高纯化学试剂。光刻胶...
    08-31