前面已经讲过分凝现象,但前面所讲的是理想状态下的。一般液相中的杂质很少,结晶速率
非常缓慢,以固液交界面为界,固相与液相所含杂质浓度不等,但固相一侧所含的杂质浓度是均
匀的,液相一侧所含的杂质浓度也是均匀的,因此称为理想分凝系数,也称为平衡分凝系数。
在实际生产中,晶体的生长速率不可能非常缓慢,而且在固液界面增加杂质的一侧,杂质
不可能及时散开,于是要在固液界面附近形成一个杂质富集层;在固液界面减少杂质的一侧,
杂质不可能及时补充,于是要在固液界面附近形成一个杂质贫乏层。所以固相一侧所含的杂质
浓度不可能是均匀的,液相一侧所含的杂质浓度也不可能是均匀的。因此,有人提出一个与实
际情况相符合的分凝系数,称为有效分凝系数。有效分凝系数与平衡分凝系数之间的关系是:
犓y=犓p犆b-
犆2 (71)
式中 犓y———有效分凝系数;
犓p———平衡分凝系数;
犆b-———固液界面处的杂质浓度;
犆2———留在硅熔体中的杂质浓度。
)'%可以发现,式(72)中的犓p 和犆2 都可以得到具体的数据,但犆b—的数据是难以得到的,
因为犆b—是一个不定的变化值,所以要想知道犓y 的具体数值是很难的。由于犓y 与犓p 的数
值差别很小,所以在实际应用时,多是简化计算,而采用犓p 值。