随着IC 存储容量的逐渐增大,存储器电池的蓄电量需要尽可能的增大,因此氧化膜变
得更薄,而超净高纯试剂中的碱金属杂质 (Na、Ca等)会溶进氧化膜中,从而导致耐绝缘
电压下降;若重金属杂质 (Cu、Fe、Cr、Ag等)附着在硅晶片的表面上,会使pn结耐电
压降低。杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。因此,随着微
电子技术的飞速发展,对超净高纯试剂的要求也越来越高,不同级别超净高纯试剂中的金属
杂质和颗粒的含量要求各不相同,而配套于不同线宽的IC 工艺技术。近年来超净高纯试剂