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Ｔｏｎｔｉ首先提出以一种灵敏因子ＳＦ来说明各种杂质对不同规模集成电路成品率的影响。
颗粒ＳＦ＝ａｒｍＳ３
式中 ａ———相对器件面积因子；
ｒ———线条比；
ｍ———相对湿工艺的次数因子；
Ｓ———规模因子。
若将２５６Ｋ 的ａ、Ｓ、ｒ、ｍ、ＳＦ 均 看 作 为 标 准１ 时，４Ｍ、１６Ｍ 的 对 应 值 分 别 为２１ 和
６０６，不同规格集成电路产品要达到同一成品率时，则试剂中可允许的颗粒量为∝１／ＳＦ。
这里指的颗粒包括不可变形颗粒 （尘埃、金属氧化物的晶体、树脂碎屑和包装物内壁脱
落物等）和可变形颗粒 （纤维、细菌以及微生物的尸体等）。
颗粒对集成电路加工过程中造成的影响有以下几个方面：
（１）光刻缺陷；
（２）图形缺陷；
（３）漏电及低击穿；
（４）氧化层不平整；
（５）影响制版质量；
（６）影响蚀刻工艺的控制等。
例如在制作１６Ｋ 的动态随机存储器 （ＤＲＡＭ）过程中，如果使用未经过滤的试剂和高
纯水与使用通过１μｍ、０２μｍ 的过滤器过滤的试剂和高纯水，缺陷的密度分别由２７９个／ｃｍ２
下降到２５个／ｃｍ２ 和０４个／ｃｍ２。因此，可以看出，过滤工艺的好坏对集成电路的质量影响
是非常大的，颗粒含量是高纯试剂重要的控制指标。
