在拉晶过程中，除了要注意温度、拉速、液面和温度梯度等情况之外，还应注意硅熔体
的对流和生长界面的形状对拉晶的影响。
一根合格的单晶硅棒，晶体要完整、无缺陷、无位错，特别是生产 Ｎ型或Ｐ型单晶时，
所掺杂质一定要分布均匀。要想让杂质分布均匀，硅液就不能是静止的，而应该尽量是流
动的。
在单晶硅的生长过程中，有两个方面动力在促进硅液的流动：一个是由于硅液中的温度
梯度促成的自然对流；另一个是人为主动干预 （石英坩埚和单晶硅棒的转动）造成的。
直拉单晶炉中的晶体一般是顺时针旋转，而坩埚是逆时针旋转。也就是说，直拉单晶炉
中的晶体和坩埚是相互反向旋转的。这样一来，相互反向旋转的晶体和坩埚所产生的强制对
流是由离心力和向心力，最终由熔体表面张力梯度所驱动的。所生长的晶体的直径越大 （坩
埚越大），对流就越强烈，会造成熔体中温度波动和晶体局部回熔，从而导致晶体中的杂质
分布不均匀等。实际生产中，晶体的转动速度一般比坩埚快１～３倍，晶体和坩埚彼此的相
互反向运动导致熔体中心区与外围区发生相对运动，有利于在固液界面下方形成一个相对稳
定的区域，有利于晶体稳定生长。
石英坩埚和单晶硅棒的转动以及硅液的流动对拉晶的影响是多方面的，除了对杂质分布
有利之外，对温度的分布也同样有利，而且对单晶硅棒外形的形成也有一定的影响，如果没
有石英坩埚和单晶硅棒的转动，单晶硅棒的外形就不一定是圆的，而且单晶硅棒各处的杂质
含量差异也会相当明显。因此，在拉晶过程中硅液一定是流动的，石英坩埚和单晶硅棒一定
是按一定速度转动的。