又称光致抗蚀剂，随着半导体电路向超高频、高可靠、高集成方向发展。利用光刻工艺
刻蚀各种精密的线条一般为 １２～１μｍ，正在研究 ０５μｍ，越来越细。用作抗蚀涂层的光刻
胶是光刻工艺中的关键材料，要求光刻胶的性能、质量也越来越高。因此，在微电子工业中
光刻胶是研究、竞争相当活跃的领域。在美国，１９８２～１９８６ 年间光刻胶的销售额年平均增
长约１４％。
近年来，不断研究感光性树脂、感光剂的结构和曝光光源的改进，以提高分辨精度和耐
腐蚀等性能，适应微电子工业向超大规模集成电路的发展。